Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (4) | Реферативна база даних (43) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Прохоров Э$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 7 Представлено документи з 1 до 7 |
|||
| 1. | 
Прохоров Э. Д. Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs [Електронний ресурс] / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Клименко // Доповiдi Національної академії наук України. - 2012. - № 4. - С. 75-80. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2012_4_15 Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Показано, как влияет междолинный перенос электронов в областях, прилегающих к туннельной границе, на эффективность генерации диодов в диапазоне частот. | ||
| 2. | 
Прохоров Э. Д. Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте [Електронний ресурс] / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Клименко, И. П. Стороженко // Радиофизика и электроника. - 2012. - Т. 3(17), № 3. - С. 72-78. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2012_3(17)_3_13 Рассмотрена эффективность генерации диодов с междолинным переносом электронов на основе нитридов (InN, GaN, AlN). Определены напряженности электрического поля, при которых наблюдается максимальная эффективность генерации на основе нитридов, и проведено сравнение с GaAs. Учет сплавного потенциала в соединениях InGaN приводит к улучшению их энергетических характеристик по сравнению с энергетическими характеристиками этих соединений без учета сплавного потенциала, кпд | ||
| 3. |
Прохоров Э. Д. Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами [Електронний ресурс] / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Клименко // Радиофизика и электроника. - 2011. - Т. 2(16), № 1. - С. 54-57. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2011_2(16)_1_11 Рассмотрены импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) в следствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которую можно использовать для генерации, усиления, умножения. Определены зависимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными и резонансно-туннельными границами для реальных параметров диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцевом диапазоне и зависит от его параметров. | ||
| 4. |
Прохоров Э. Д. Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs [Електронний ресурс] / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Клименко // Радиофизика и электроника. - 2011. - Т. 2(16), № 3. - С. 91-96. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2011_2(16)_3_13 Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами (ТГ) в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивления между контактами диодной структуры и сопротивления, включенные последовательно с ТГ, на эффективность генерации на основной частоте и частотах гармоник. Оценен частотный предел работы диодов с ТГ. Показана возможность генерации гармоник и умножения частоты на диодах с ТГ в диапазоне десятки-сотни гигагерц. | ||
| 5. |
Прохоров Э. Д. Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs [Електронний ресурс] / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Реутина // Радиофизика и электроника. - 2013. - Т. 4(18), № 1. - С. 86-90. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2013_4(18)_1_16 В настоящее время активно исследуются приборы, которые могут работать в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах. Для освоения данного диапазона используют твердотельные генераторы, работающие на частотах 100 - 150 ГГц, с последующим умножением с помощью умножителей частоты этих относительно низких частот до необходимого уровня (реально, пока, до 1 - 2 ТГц). Предложены полупроводниковые приборы, которые могут применяться как генераторы, усилители. Они представляют собой диоды с отрицательной дифференциальной проводимостью, которая возникает за счет боковых туннельной или резонансно-туннельной границ (РТГ). В исследовании рассмотрены электронные процессы в диодах с РТГ на основе GaAs, при условии, что РТГ ограничена по протяженности. Определены зависимости активной и реактивной составляющих импеданса планарного диода с РТГ для реальных параметров диодов. Показано, что частотные возможности диода с РТГ существенно зависят от местоположения границы и эффективность генерации и частотный диапазон уменьшаются при перемещении РТГ к аноду. | ||
| 6. |
Прохоров Э. Д. Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей [Електронний ресурс] / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Реутина // Радиофизика и электроника. - 2014. - Т. 5(19), № 3. - С. 71-75. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2014_5(19)_3_12 Освоение миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов является одной из актуальных задач радиофизики. Однако на сегодняшний день набор активных элементов, способных работать в указанных диапазонах, ограничен. Одним из вариантов такого активного элемента есть предлагаемый прибор - диод с туннельной боковой границей (ТБГ) и туннельным анодом (ТА). Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации планарных диодов с ТА и ТБГ на основе GaAs с целью определения влияния параметров ТА и ТБГ на вольтамперные характеристики и эффективность генерации на низких и высоких частотах, а также оценки частотного предела работы диодов. Исследование показало возможность генерации диодами с ТА и ТБГ в диапазоне десятки-сотни гигагерц и возможность существования двух участков отрицательной дифференциальной проводимости двух зон генерации по напряжению. Результаты исследования позволили определить основные свойства предложенных диодных структур и являются ориентиром для дальнейшего детального анализа физических процессов в них и практической реализации. | ||
| 7. |
Прохоров Э. Д. Эффективность генерации планарных диодов n+−n−n+ c туннельными границами [Електронний ресурс] / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Реутина // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 3. - С. 82-89. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2014_3_15 Рассмотрены диоды <$E n sup +~-~n~-~n sup +> с туннельными (ТБГ) или резонансно-туннельными (РТБГ) боковыми границами. Одной боковой границей такого диода является полуизолирующая подложка GaAs, на которой выращен n-слой. На противоположной боковой границе может располагаться туннельная или резонансно-туннельная граница конечной протяженности. Исследованы вольтамперные и энергетические характеристики таких диодов в широком диапазоне частот мм-диапазона. Показано, что диоды <$E n sup +~-~n~-~n sup +> с ТБГ или РТБГ обладают отрицательной дифференциальной проводимостью в широком диапазоне частот мм-диапазона и могут быть использованы для генерации и усиления. Продемонтрировано, как влияет местоположение и протяженность боковых границ на энергетические и частотные характеристики диода. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |